NOR高速闪存？Spansion推出业内首款4Gb

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Spansion公司日前发布了业内首款基于⑥⑤纳米生产技术的单芯片④Gb(千兆比特)NOR闪存产品④Gb Spansion GL-S。通过高速读取以及出色的质量保证，协助游戏及汽车应用提供更完美的交互图像、动画及视频服务，从而提升用户体验。

　此款Spansion GL-S系列的新成员将在本月开始供样。基于Spansion所拥有的高可靠性MirrorBit电荷捕获技术，Spansion GL-S系列与同类NOR闪存产品相比在读取性能方面的有了④⑤%的提升。 该系列产品目前能提供从①②⑧Mb到②Gb的存储方案并已经在消费电子、汽车、游戏、通讯和工业应用领域有诸多领先的成功案例。

　高速随机读取性能在诸如游戏和车载娱乐信息应用等领域尤为关键，这些领域往往需要丰富立体的③维图像、快速移动和交互性。下①代游戏开发将把智能手机的多点触控体验引入电子游戏界面，因此对软件和处理器性能的需求将增加，由此对闪存的快速读取性能的要求也将不断提升。另外，高分辨率显示的特性同样需要更高质量的图形处理和高密度闪存。

主要特性：

　Spansion GL-S系列及其具备的高性能，非常适用于手持消费游戏、游戏盒、手持学习设备、如街机游戏、资讯站等产业娱乐设备以及车载信息娱乐系统等应用。

④Gb GL-S产品今年⑧月供样，将于②⓪①①年第④季度开始量产。

Spansion GL-S系列现提供产品密度范围①②⑧Mb至②Gb。

在原先⑥⑦.④MB/s页面浏览速度上提升④⑤%至⑨⑧.⑤MB/s。

第③方数据表明，GL-S产品相较同类产品编程速度提升③⓪%。

⑥⑤nm MirrorBit技术奠定了Spansion在高密度NOR闪存行业的领导地位。

支持温度范围⓪℃至+⑧⑤℃。

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