国家存储器基地项目二期开工 规划月产能20万片

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（原标题：国家存储器基地项目二期开工，规划月产能20万片）

（文/观察者网 吕栋）6月20日，紫光集团发布消息，由长江存储实施的国家存储器基地项目二期（土建）在武汉东湖高新区开工，规划产能20万片/月，达产后与一期项目合计月产能将达30万片。

不容忽视的是，行业龙头三星近期也在闪存领域动作频频。6月1日，其宣布将在韩国平泽工厂扩产NAND闪存芯片，同时该公司在西安的闪存项目也在持续扩大投资，计划建成全球规模最大闪存芯片制造基地。

观察者网注意到，受上述消息影响，今天A股早盘，光刻胶、半导体、国产芯片等板块纷纷走强。个股方面，瑞芯微、北方华创、中微公司、北京君正、华特气体、华峰测控等集成电路概念股均大幅上涨。

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一期主要实现技术突破

紫光集团介绍，长江存储国家存储器基地项目由紫光集团、国家集成电路基金、湖北省科投集团和湖北省集成电路基金共同投资建设，计划分两期建设3D NAND闪存芯片工厂，总投资240亿美元。

其中，项目一期于2016年底开工建设，进展顺利，32层、64层存储芯片产品已实现稳定量产。

在开工仪式上，紫光集团、长江存储董事长赵伟国表示，国家存储器基地项目一期开工建设以来，从一片荒芜之地变成了一座世界领先的存储器芯片工厂，实现了技术水平从跟跑到并跑的跨越。

在64层3D NAND闪存量产7个月后，长江存储今年4月宣布新的研发进展，其跳过96层，成功研制出业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量的128层闪存。

谈及量产时间，长江存储当时向观察者网表示，配合前述产能，128层NAND闪存将于今年年底到明年上半年陆续量产。

2019年9月，长江存储核心厂区   图片来源：长江存储官网

西南证券6月21日分析指出，长江存储一期主要实现技术突破，并建成10万片月产能，计划将于2020年底满产，考虑到国外厂商扩产情况，届时长江存储市全球占率将达5%左右。

“2018年长江存储突破32层3D闪存，与国外差距3-4年；2019年其实现64层技术量产，与国外差距缩小至2年；今年4月，长江存储128层QLC 3D闪存研制成功，若128层年底实现量产，则与三星、海力士、美光等国外厂商技术差距缩小至1年，一期的技术突破任务已基本完成。”该券商分析称。

华创证券分析指出，存储器是信息系统的基础核心芯片，最能代表集成电路产业规模经济效益和先进制造工艺，也是中国进口金额最大的集成电路产品。近些年内存、固态硬盘、显卡价格屡现上涨，根源在于存储芯片掌握在少数国外厂家手中。国产化将降低国内半导体产品成本，并提升上游设备公司订单。

6月9日，基于二季度数据，SEMI（国际半导体产业协会）调整2021年全球晶圆厂设备开支规模的预测值，由此前预估的657亿美元上调至创纪录的677亿美元，预计同比增长率为24%。其中，存储器工厂的设备开支规模最大，预计达到300亿美元。

前述券商统计数据显示，截至今年6月20日，国内设备厂商在长江存储中标数量排名依次为：北方华创（中标56台）、屹唐（46）、中微公司（38）、盛美半导体（18）、华海清科（11）、精测电子（8）、沈阳拓荆（5）、中科飞测（3）、睿励（2），覆盖刻蚀、沉积、检测、清洗、CMP多个领域。

三星、海力士纷纷扩产

事实上，目前全球闪存市场仍高度集中且被国外厂商垄断。2020年一季度，三星、铠侠（东芝）、西部数据、美光、海力士、英特尔等在全球闪存市场合计占有率超99%。

数据来源：TrendForce

3月底，集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）的调查显示，虽然新冠疫情蔓延，使得2020年第一季度的终端产品出货动能格外疲弱，但在闪存（NAND Flash）领域，由于2020年全年供给收缩，加上各大供应商资本支出保守，第一季NAND Flash均价在淡季仍上涨约5%。

展望第二季度，该机构指出，北美及中国市场数据中心的买方态度仍相当积极，企业级固态硬盘（Enterprise SSD）也成为所有应用类别中缺货态势最为明显的产品。由于Enterprise SSD占整体NAND Flash出货比重持续提升，因此价格的强劲表现也带动第二季整体NAND Flash均价将上涨至少5%。

数据来源：TrendForce

而随着“宅经济”推动对存储需求的增加，加之价格上涨，龙头厂商也纷纷开始扩产。

6月1日，路透社报道，三星电子宣布，将扩大其在韩国平泽市（Pyeongtaek）的NAND闪存芯片生产能力，以押注未来对个人计算机和服务器的需求，因为新冠病毒促使更多人在家工作。

报道指出，三星计划在明年下半年大规模生产该芯片，新增的产能将有助于满足对5G手机和其他设备的需求。分析师预计，三星此次投资额将在7万亿韩元至8万亿韩元（约合65亿美元）之间。

7个月前，三星宣布启动西安闪存芯片（NAND）项目二期第二阶段80亿美元（约合人民币563亿元）投资。项目建成后将新增产能每月13万片，使西安成为全球规模最大的闪存芯片制造基地。

与此同时，据DIGITIMES今年4月报道，SK海力士将在韩国M15工厂增加NAND Flash产能。

报道指出，之前因为市场供过于求，SK海力士把2019年NAND Flash晶圆较2018年减少10%以上，这也导致其产能爬坡速度有所减缓，不过在三星投资加速刺激下，SK海力士或也在考虑提高增产速度。

观察者网专栏作者铁流此前分析，由于中国企业在NAND Flash和DRAM两种存储芯片方面的市场占有率微乎其微，且NAND Flash和DRAM被少数国际大厂所垄断，特别是韩国企业拥有非常高的市场份额，这直接导致存储芯片价格很容易受到垄断企业决策影响……长江存储在64层NAND上取得突破，未来将有效缓解了在NAND上单一依赖进口供应的局面。

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