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在上一篇文章中，小编为您详细介绍了关于《AMD全新锐龙芯片组驱动新Bug：电压异常、功耗增加》相关知识。本篇中小编将再为您讲解标题台积电3nm细节公布:2.5亿晶体管/mm2 能耗性能大提升。
本文来自快科技
近日，台积电正式披露了其最新3nm工艺的细节详情，其晶体管密度达到了破天荒的2.5亿/mm²！
作为参考，采用台积电7nm EUV工艺的麒麟990 5G尺寸113.31mm²，晶体管密度103亿，平均下来是0.9亿/mm²，3nm工艺晶体管密度是7nm的3.6倍。这个密度形象化比喻一下，就是将奔腾4处理器缩小到针头大小。
性能提升上，台积电5nm较7nm性能提升15%，能耗提升30%，而3nm较5nm性能提升7%，能耗提升15%。
此外台积电还表示，3nm工艺研发符合预期，并没有受到疫情影响，预计在2021年进入风险试产阶段，2022年下半年量产。
工艺上，台积电评估多种选择后认为现行的FinFET工艺在成本及能效上更佳，所以3nm首发依然会是FinFET晶体管技术。
但台积电老对手三星则押宝3nm节点翻身，所以进度及技术选择都很激进，将会淘汰FinFET晶体管直接使用GAA环绕栅极晶体管。
编后语：关于《台积电3nm细节公布:2.5亿晶体管/mm2 能耗性能大提升》关于知识就介绍到这里，希望本站内容能让您有所收获，如有疑问可跟帖留言，值班小编第一时间回复。 下一篇内容是有关《华为MatePad内部结构曝光：配备四扬声器》，感兴趣的同学可以点击进去看看。
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