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作为的主要生产厂商三星(以下称Samsung)宣布已经在5显存颗粒的性能上取得了重大突破,把速度提高到了6GHz,这一技术可以明显的提高显卡的性能和降低制作成本。
但是作为普通用户的话如果想使用此款显存恐怕要等到2010年才能够普及。
Samsung显卡内存事业部市场总监MueezDeeen指出,SamsungGDDR5颗粒可大幅提升绘图硬件效能,同时为软件设计师带来更大空间,让游戏及绘图世界能更加真实,减少因显存频宽不足而造成的规范。
除了在速度上有着进步,Samsung亦指出GDDR5显存将拥有更省电的效果,GDDR5工作电压为1.5v,相比的1.8V为少,预期GDDR5颗粒将比省电20%。
Samsung已在上月向显卡制造商提供GDDR5的工程样本,预期可在2008年上半年开始量产。
而6GHz的GDDR5技术白皮书,将会在ISSCC2008大会上正式发布。
业内人士表示,期待GDDR5的来临,将有效提成显卡性能及减省成本,可望在四颗GDDR5128Bit介面配置下,达成以往要八颗GDDR3256Bit介面的记忆体频宽速度,令主流级显卡更具竞争力。
根据DRAMeXchange预期,GDDR4将会成为过渡产品,而GDDR5虽然会成为主流,但最新最快亦在2010年才能普及,因此在未来2年GDDR3仍会是显存市场的主流。
显卡芯片GeForceGT200 芯片厂商NVIDIA 制造工艺40纳米 核心代号GT215 核心频率550MHz 3400MHz 着色器频率1340MHz 显存类型GDDR5 显存容量(MB)256 128bit 显存描述采用0.4nsGDDR5显存 显存速度0.4ns 最高分辨率2560*1600 散热方式散热风扇 总线接口PCIExpress2.016X 输出/输入接口HDMI 显示器接口24针接口/15针D型(VGA)接口 3D API10.1。
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