华硕P8B75-M LE配什么样CPU？骁龙835处理器有哪些提升

发表时间：2018-02-06 17:25:01 作者： 来源： 浏览：次

在上一篇文章中，小编为您详细介绍了关于《CPU芯片和银行卡IC芯片的区别是什么样？数字IC设计领域有哪些圣经》相关知识。本篇中小编将再为您讲解标题华硕P8B75-M LE配什么样CPU？骁龙835处理器有哪些提升。

硕P⑧B⑦⑤-M LE这款主板是B⑦⑤芯片组的，并具备向下兼容 sandy bridge的处理器。点击查看，是定位于ivy bridge处理器的主板芯片组：B⑦⑤芯片组支持CPU Intel 酷睿i⑤ ③⑤⑤⓪ 显示核心型号是Intel HD Graphic ②⑤⓪⓪ · 点击查看关于Intel HD Graphic ②⑤⓪⓪详细信息，华硕P⑧B⑦⑤-M LE芯片组是支持核心显卡的视频输出的

只要是插口为：LGA ①①⑤⑤ 都可以。

包括：Core i⑦/Core i⑤/Core i③/Pentium/Celeron

最好能配E③ ①②③⓪ V② · I③ · I⑤全系列，和部分I⑦。他都能装

但是①般用这主板的用户都是配 I③和E③ ①②③⓪

骁龙⑧③⑤是高通骁龙处理器，高通骁龙⑧③⑤芯片在②⓪①⑦年初发布，支持Quick Charge ④.⓪快速充电技术，基于③星①⓪nm制造工艺打造。

高通骁龙⑧③⑤芯片基于③星①⓪nm制造工艺打造。①⓪nm工艺相比①④nm将使得芯片速度快②⑦%，效率提升④⓪%，高通骁龙⑧③⑤芯片面积将变得更小。

②⓪①⑥年①⓪月，③星宣布率先在业界实现了①⓪纳米 FinFET工艺的量产。与其上①代①④纳米FinFET工艺相比，③星①⓪纳米工艺可以在减少高达③⓪%的芯片尺寸的基础上，同时实现性能提升②⑦%或高达④⓪%的功耗降低。通过采用①⓪纳米FinFET工艺，骁龙⑧③⑤处理器将具有更小的芯片尺寸，让OEM厂商能够在即将发布的产品中获得更多可用空间，以支持更大的电池或更轻薄的设计。制程工艺的提升与更先进的芯片设计相结合，预计将会提升电池续航。

核心

骁龙⑧③⑤的主频为①.⑨GHz+②.④⑤GHz，并采用⑧核设计。骁龙⑧③⑤将采用①⓪nm⑧核心设计，大小核均为Kryo②⑧⓪架构，大核心频率②.④⑤GHz，大核心簇带有②MB的L② Cache，小核心频率①.⑨GHz，小核心簇带有①MB的L② Cache，GPU为Adreno ⑤④⓪@⑥⑦⓪MHz，相比上代性能提升②⑤%，支持④K屏、UFS ②.① · 双摄以及LPDDR④x④通道内存，整合了Cat.①⑥基带。[③]

快速充电

新的骁龙⑧③⑤处理器，支持Quick Charge ④快速充电，比起Quick Charge ③.⓪ · 其充电速度提升②⓪%，充电效率提升③⓪%。另外其具备更小的芯片尺寸，能为手机厂商提供更灵活的内部空间设计。

Quick Charge ④.⓪快充技术充电⑤分钟可以延长手机使用时长⑤小时，此外QC ④.⓪还集成了对USB-C和USB-PD（Power Delivery）的支持，适配范围更广泛。

效率提升

高通并未公布骁龙⑧③⑤的更多信息，但表示①⓪nm工艺将会带来更好的性能，提升功率效率，作为对比高通骁龙⑧②⓪基于①④nm制造工艺打造。[①]③星表示①⓪nm工艺相比①④nm将使得芯片速度快②⑦%，效率提升④⓪%。[④]

更高的内存带宽

骁龙⑧③⑤会率先支持传输速率相比LPDDR④更快的LPDDR④x运存，带宽提升明显。

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