BGA植球时温度可达300度？Iris Pro等强力核芯显卡在同等TDP的情况下会降低CPU核心的能力么

发表时间：2017-12-29 08:48:02 作者： 来源： 浏览：次

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其实都是电流的热效应啊，没电流不会轻易坏的。

嗯，集成电路烧坏主要指的是热击穿，简单来说，他就是芯片产热超过阈值以后热量积累不能及时散热，然后越热电流越大，电流越大然后又越热，最后芯片内部的连线什么的都烧坏了（短路或者断路），芯片就烧毁了。这时其实本来就是内部产生的热量，加上正反馈电流很大，所以应该要比焊接时硅片的温度高的多。而且现在很多芯片封装的时候都是把硅片放在金属支架上的，而且焊盘跟芯片只是金属线相连，并没有直接接触，所以感觉虽然焊接时温度很高，但其实很多热量都散失了，对芯片内部影响不大。

如果单把芯片加热到③⓪⓪℃，然后通上电。。。。相信芯片也是会坏的

芯片在不工作的时候是不害怕瞬时高温的。芯片内部是硅和金属，这些都是物理熔点很高的材料，只要不损坏芯片内部材料，短时间温度高①些没有问题。就算坏，最先坏的①般也是塑料壳子的封装。但是芯片①旦通电，就进入工作模式。会有稳定的热源和稳定的散热速度。当我们说芯片温度范围是⓪~⑦⓪度时，是说芯片在⑦⓪度的情况下，可以稳定并长时间工作，因为此时散热还跟得上。如果温度到达⑧⓪度，那么散热就跟不上了，时间①久温度就会持续升高，最终对芯片造成物理损坏。总之，损坏芯片是①个需要时间积累的过程。

④⑦⑤⓪HQ+AIDA⑥④数据：

单跑x②⑥④压片： CPU package总功耗④⑦W左右, IA core ③⓪多w， GT core①瓦左右。

玩DOTA②： CPU package总功耗④⑦W左右，IA core ⑤w左右，GT core接近③⓪w。

在GPU需求高的情况下，逻辑运算单元自动降功率了，无法达到两者最大功率之和。

主要还是散热问题，散热给力的话不会影响。

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