合肥长鑫有望成全球第四大DRAM厂 17nm内存明年问世

发表时间：2020-08-26 13:00:13 作者：编辑部 来源：游戏王国 浏览：次

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（原标题：合肥长鑫有望成全球第四大DRAM厂17nm内存明年问世）

2019年在内存及闪存领域国内各有一个重大突破，长江存储量产了64层3D闪存，合肥长鑫则量产了DDR4内存，后者今年有望成为全球第四大DRAM内存芯片厂。

在DRAM内存芯片市场上，三星、SK海力士及美光三大公司占据了95%以上的份额，以最新的Q2季度为例，三星一家就占44%左右，SK海力士占比约为30%，美光在21%左右，留给其他厂商的空间非常小。

目前全球第四大内存厂商是南亚科技，更早之前是华亚科，不过华亚科已经被美光全资收购了，第五位的南亚就晋升到了第四，但是份额占比约为3%而已，其产能不过7万片晶圆/月。

这也给了合肥长鑫一个快速超越的机会，Digitime爆料称今年底合肥长鑫的产能就有可能超过7万片晶圆/月，这意味着他们有望超越南亚成为全球第四大DRAM芯片厂。

当然，前面说了，就算长鑫真的做到了，这个第四其实跟前三的差距也非常大，TOP3厂商几乎是赢家通吃，产能远高于其他公司。

目前长鑫量产的DDR4/LPDDR4/LPDDR4X芯片主要还是19nm工艺的，相比三星等公司也要落伍2-3年时间，提升技术水平也是长鑫的关键。

好消息是，长鑫预计在2021年搞定17nm工艺内存芯片，差不多相当于业界的1Xnm工艺了，可以继续提升内存的存储密度。

根据之前的官方信息，以长鑫为代表的安徽半导体行业，在未来2-3年内将推进低功耗高速率LPDDR5 DRAM产品开发，要面向中高端移动、平板及消费类产品DRAM存储芯片自主可控需求，研发先进低功耗高速率LPDDR5产品并实现产业化。

依托DRAM 17nm及以下工艺，攻关高速接口技术、Bank Group架构设计技术、低功耗电源（电压）技术、片内纠错编码（On-Die ECC）技术，完成低功耗高速率LPDDR5 DRAM产品开发。

根据资料，合肥长鑫集成电路制造基地项目总投资超过2200亿元，选址位于合肥空港经济示范区，占地面积约15.2平方公里，由长鑫12吋存储器晶圆制造基地（以下简称“基地”）、空港集成电路配套产业园、空港国际小镇三个片区组成。

其中，长鑫12吋存储器晶圆制造基地项目是中国大陆第一个投入量产的DRAM设计制造一体化项目，也是安徽省单体投资最大的工业项目，总投资约1500亿元；空港集成电路配套产业园，位于基地以西，总投资超过200亿元；合肥空港国际小镇位于基地以北，规划土地面积9.2平方公里，规划总建筑面积420万平方米，总投资约500亿元。